Innovus 数字集成电路后端开发设计 _下图

一、本文目的是对数字IC进行：
1、平面规划设计（ the ）；
2、电源路径设计（ Power withRoute）；
3、使用Early分析路径（布线）可行性（ Routewith the Early）。
二、设计过程与结果：
1、平面规划设计（ the ）
1）从根目录进入工作路径/share////FPR/work，如下图所示：
2）在此路径下打开如下图：
3）导入路径/share////FPR/work下dtmf.设计文件，如下图：
4）切换到 view查看设计中的macro，和port，如下图：
5）通过Tools >显示设计的层次，如下图：
6）尺寸定义与设计检查：通过 >定义芯片与模块大小，芯片或模块大小有两种方式来指定，我根据 Ratio，即给定利用率指定尺寸，由工具算出H和W，默认矩形，H×W即为面积，如下图所示：
（此外可通过定义尺寸，即直接指定H和W大小）
7）由于此lab是带IO的设计，需要指定的间距（如果是模块级设计则需要指定的间距），此时将IO和CORE之间的距离设为100μm，如下第一张图，设置完后如下第二张图所示：
8）使用命令Check-检查设计参考库以及本身的问题，运行后在work//目录下生成了.main.htm.ascii文件，是Check 的详细信息，如下图：
2、电源路径设计（ Power withRoute）
1）手动摆放macro，ip与halo，或执行File > Load > 选择.fp，完成后的如下图所示：
2）更改网络的 Halo使之均为30μm，如下第一张图，改动成功后结果如下第二张图所示：
3）进行设计，加入电源环，设置参数如下第一张图所示，加入电源环后效果如下第二张图所示（红色与蓝色部分）：
4）之后给网络加上电源环，选中后，基本参数设置与电源环形状设置如下两张图所示：
5）设置后的电源环效果如下图所示：
6）添加Power ：Power > Power> Add Power ，将各参数设置如下图所示：
7）添加Power 后，可见VDD与VSS间距为1微米，且VDD组间距、VSS组间距均为100微米，结果如下图：
8）摆放cell：> 选中cell后 > q键指定坐标，参数如下图所示：
9）切换 view即可看见这颗cell的坐标变化结果，如下图：
10）添加Power Rail并且和Power 打孔：从M6打孔到M1（各层均打VIA），设置参数如下图所示：
11）至此，完成，效果如下图所示：
3、使用Early分析路径（布线）可行性（ Routewith the Early）
1）在命令行界面输入后，输出了所有的如下图：
2）输入命令defIn .def，在Place之前读入scan chain的def进一步优化，之后跑命令，可得到、DRV结果，以及整体的值为48.462%，大小为0.01%H和0.00%V，如图：
3）输入指令 - - - scan.def，显示Scan Chain连接示意图，也可直接操作：Place >> Scan Chain，如下图：
【Innovus数字集成电路后端开发设计】4）可见局部连接顺序情况及情况如下图：
5）输入指令 ../saved/.inv.dat 打开后保存的数据，使用前期引擎分析潜在绕线问题：Route > Early，操作如下图所示：
6）可见垂直方向上存在，其中一条上绕线风险如图所示：
7）取消勾选垂直方向V的显示，去掉 Label，可见设计均不存在了，如图：
8）使用命令 ../saved/.inn保存设计，之后通过 ../saved/.inn.dat 可以打开设计。设计结果如图：
放大可查看具体布线情况，确保不存在绕线，如图：
三、补充问题：
四、作业：
1、读入数据后，执行 –输出的结果关注要点：
Q1.数：5680个，Block数：4个。
Q2.IO数：57个，其中Input数：28个，数：29个。
Q3. Cell的面积：.98平方微米。
2、读入dtmf.fp后，确认如下信息：
Q1. 这个Block的形状：长280微米，宽300微米，位置坐标：{355.28 355.44} （X-Y系）