Innovus 数字集成电路后端开发设计( 二 ) _下图

Q2. 使用的Layer：Metal 5与Metal 6，宽度是：8微米。
Q3. 使用的Layer：Metal 6，宽度是：8微米。
3、的操作要点（3个）
①先给整个芯片加上电源环后再选中BLOCK，给小的BLOCK加电源环；
②基本参数包括宽度等设置好后，还需注意设置电源环形状；
③添加Power 后，须添加Power Rail并且和Power 打孔。
4、设计的注意事项（3个）
①如果lab是带IO的设计，需要指定的间距（如果是模块级设计则需要指定的间距）；
②芯片或模块大小有两种方式来指定，我根据 Ratio，即给定利用率指定尺寸，由工具算出H和W，默认矩形，H×W即为面积，此外可通过定义尺寸，即直接指定H和W大小；
③导入设计时须使用命令Check-检查设计参考库以及本身的问题，运行后在work//目录下生成以.main.htm.ascii为后缀的文件，是Check 的详细信息。
5、Lab 10 Place完成后的确认：
Q1. Place之前的确认：0.098纳秒，截图WNS的Slack：
Q2. Place之后的确认：0.112纳秒，截图WNS的Slack：