自对準工艺 _生活百科

文章插图
自对準工艺用多晶硅版刻出多晶硅图形，再用有源区版刻掉有源区上的氧化层，高温下以n型杂质对有源区进行扩散（1000℃左右）。此时耐高温的多晶硅和下面的氧化层起掩蔽作用。
【自对準工艺】设计这类电晶体时往往让栅区宽度（栅氧化膜及其上的铝栅电极两者）比源和漏扩散区的间距要大一些，光刻时使栅区的两端分别落在源和漏扩散区上并有一定余量，由此便产生了较大的栅对源、漏的覆盖电容，使电路的开关速度降低。
基本介绍中文名：自对準工艺
外文名：self-alignment technique
含义：实现光複印自动对準的技术
内容：详见正文
自对準技术self-alignment technique微电子技术中利用元件、器件结构特点实现光複印自动对準的技术。早期的 MOS积体电路採用的是铝栅工艺,首先在硅单晶片上热氧化生长一层二氧化硅膜,经第一次光刻,在二氧化硅膜上刻蚀出源和漏扩散视窗,用扩散法形成源和漏扩散区 (图1aMOS积体电路铝栅工艺) ，接着在硅片上形成新的二氧化硅层；再经过第二次光刻，刻蚀出栅区，生长栅氧化层；然后，经光刻刻出引线孔，完成蒸铝和刻铝等后工序;最后形成MOS电晶体。因为栅区必须在源和漏扩散区正中间，并需要稍覆盖源区和漏区，第二次光刻以及形成铝栅电极的那步光刻，都必须和第一次光刻的位置精确对準(图1bMOS积体电路铝栅工艺) 。否则,栅区与源区或漏区就可能衔接不上，使沟道断开（图1cMOS积体电路铝栅工艺），致使MOS电晶体无法工作。因此，设计这类电晶体时往往让栅区宽度（栅氧化膜及其上的铝栅电极两者）比源和漏扩散区的间距要大一些，光刻时使栅区的两端分别落在源和漏扩散区上并有一定余量，由此便产生了较大的栅对源、漏的覆盖电容，使电路的开关速度降低。随硅栅工艺的发展，已实现栅与源和漏的自对準。这种工艺是先在生长有栅氧化膜的硅单晶片上澱积一层多晶硅，然后在多晶硅上刻蚀出两个扩散视窗，杂质经视窗热扩散到硅单晶片内，形成源和漏扩散区（图2MOS硅栅工艺自对準示意图），同时形成导电的多晶硅栅电极，其位置自动与源和漏的位置对準。按照这种自对準工艺，栅与源和漏的覆盖由杂质侧向扩散完成，比铝栅工艺的覆盖电容要小很多。採用离子注入掺杂工艺的杂质侧向扩散更小，用它代替硅栅工艺中的热扩散工艺，能进一步减小栅对源和漏的覆盖电容。此外，在铝栅工艺中，即使铝栅电极比沟道短，也可增加一步离子注入工艺填充栅区旁的未衔接部分，实现自对準（图3MOS铝栅工艺实现自对準的示意图）,藉以减小寄生电容,可提高MOS积体电路的开关速度和工作频率,同时也减小器件尺寸而提高电路的集成度。在双极型电晶体及其积体电路的製造中，也多採用自对準工艺。例如，用微米级线宽的多晶硅发射极作掩模，再扩散杂质形成浓基区，以实现发射极与基区的自对準。又如超自对準工艺的主要工序是用通常方法完成基区掺杂后，在硅片上澱积一层未掺杂多晶硅，氧化掉不必要的部分。在整个晶片上澱积氮化硅膜层和二氧化硅膜层。除发射区和集电极接触孔外，其他部位的二氧化硅膜全腐蚀掉。以二氧化硅膜作掩模，把硼注入到未掺杂多晶硅内，然后腐蚀掉氮化硅（稍微过腐蚀一点）。再採用选择腐蚀法把未掺杂多晶硅腐蚀去，暴露的基区宽度小于1微米。採用热氧化，同时形成P□区。去掉氮化硅，不用掩模进行硼注入，自对準形成P□基区。再在多晶硅发射极中掺入砷，扩散形成发射区。其他后续工序与通常的双极型积体电路工艺相同。用这种方法製成的双极型电晶体，实现了多晶硅发射极与P+基区的自对準,有较小的基区电阻和较小的发射极－基极结电容,多晶硅发射极和多晶硅基极间距小于1微米,提高了双极型积体电路的速度，也提高了电路的集成度。用这种技术已製成存取时间为2.7纳秒发射极耦合逻辑电路的1千位随机存储器。