记忆体晶片

记忆体晶片【记忆体晶片】记忆体晶片 , 是一种用于储存信息的电子产品 。
基本介绍中文名:记忆体晶片
含义解释:SAMSUNG K4H280838B-TCB0
能存储资料:就是因为有了这些晶片
第1位:晶片功能K , 代表是记忆体晶片
识别办法简单地说:记忆体之所以能存储资料,就是因为有了这些晶片 。根据品牌的不同,所採用的晶片亦有所区别,具体的识别办法是:

记忆体晶片

文章插图
记忆体晶片主要含义:第1位——晶片功能K , 代表是记忆体晶片 。第2位——晶片类型4 , 代表DRAM 。第3位——晶片的更进一步的类型说明 , S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 。第4、5位——容量和刷新速率 , 容量相同的记忆体採用不同的刷新速率 , 也会使用不同的编号 。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量 。第6、7位——数据线引脚个数 , 08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据 。第11位——连线“-” 。第14、15位——晶片的速率 , 如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz) 。知道了记忆体颗粒编码主要数位的含义 , 拿到一个记忆体条后就非常容易计算出它的容量 。例如一条三星DDR记忆体 , 使用16片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装 。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits , 第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据频宽 , 这样我们可以计算出该记忆体条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆位元组) 。注:“bit”为“数位” , “B”即位元组“byte” , 一个位元组为8位则计算时除以8 。关于记忆体容量的计算 , 文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC记忆体 , 每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条记忆体;另一种ECC记忆体 , 在每64位数据之后 , 还增加了8位的ECC校验码 。通过校验码 , 可以检测出记忆体数据中的两位错误 , 纠正一位错误 。所以在实际计算容量的过程中 , 不计算校验位 , 具有ECC功能的18片颗粒的记忆体条实际容量按16乘 。在购买时也可以据此判定18片或者9片记忆体颗粒贴片的记忆体条是ECC记忆体 。代表类型Hynix(Hyundai)现代Hynix(Hyundai)现代现代记忆体的含义:HY5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY代表是现代的产品2、记忆体晶片类型:(57=SDRAM , 5D=DDR SDRAM);3、工作电压:空白=5V , V=3.3V,U=2.5V4、晶片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref5、代表晶片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank , 是2的幂次关係7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_28、晶片核心版本:可以为空白或A、B、C、D等字母 , 越往后代表核心越新9、代表功耗:L=低功耗晶片 , 空白=普通晶片10、记忆体晶片封装形式:JC=400mil SOJ , TC=400mil TSOP-Ⅱ , TD=13mm TSOP-Ⅱ , TG=16mm TSOP-Ⅱ11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266AInfineon(亿恆)Infineon(亿恆)Infineon是德国西门子的一个分公司 , 目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的记忆体颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒 。编号中详细列出了其记忆体的容量、数据宽度 。Infineon的记忆体伫列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成 。所以其记忆体颗粒型号比较少 , 辨别也是最容易的 。HYB39S128400即128MB/ 4bits , “128”标识的是该颗粒的容量 , 后三位标识的是该记忆体数据宽度 。其它也是如此 , 如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits 。Infineon记忆体颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线 , 然后标上工作速率 。-7.5——表示该记忆体的工作频率是133MHz;-8——表示该记忆体的工作频率是100MHz 。例如:1条Kingston的记忆体条 , 採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的记忆体颗粒生产 。其容量计算为: 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆位元组) 。1条Ramaxel的记忆体条 , 採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的记忆体颗粒生产 。其容量计算为: 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆位元组) 。KINGMAX、ktiKINGMAX记忆体的说明Kingmax记忆体都是採用TinyBGA封装(Tiny ball grid array) 。并且该封装模式是专利产品 , 所以我们看到採用Kingmax颗粒製作的记忆体条全是该厂自己生产 。Kingmax记忆体颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits 。在此可以将每种容量系列的记忆体颗粒型号列表出来 。容量备注:KSVA44T4A0A——64Mbits , 16M地址空间 × 4位数据宽度;KSV884T4A0A——64Mbits , 8M地址空间 × 8位数据宽度; KSV244T4XXX——128Mbits , 32M地址空间 × 4位数据宽度;KSV684T4XXX——128Mbits , 16M地址空间 × 8位数据宽度;KSV864T4XXX——128Mbits , 8M 地址空间 × 16位数据宽度 。Kingmax记忆体的工作速率有四种状态 , 是在型号后用短线符号隔开标识记忆体的工作速率:-7A——PC133 /CL=2;-7——PC133 /CL=3;-8A——PC100/ CL=2;-8——PC100 /CL=3 。例如一条Kingmax记忆体条 , 採用16片KSV884T4A0A-7A 的记忆体颗粒製造 , 其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆位元组) 。Micron(美光)Micron(美光)以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光记忆体的编码规则 。含义:MT——Micron的厂商名称 。48——记忆体的类型 。48代表SDRAM;46 代表DDR 。LC——供电电压 。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V 。16M8——记忆体颗粒容量为128Mbits , 计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度 。A2——记忆体核心版本号 。TG——封装方式 , TG即TSOP封装 。-75——记忆体工作速率 , -75即133MHz;-65即150MHz 。实例:一条Micron DDR记忆体条 , 採用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒製造 。该记忆体支持ECC功能 。所以每个Bank是奇数片记忆体颗粒 。其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆位元组) 。Winbond(华邦)含义说明:W XX XX XX XX1 2 3 4 51、W代表记忆体颗粒是由Winbond生产2、代表显存类型:98为SDRAM , 94为DDR RAM?3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;4、代表封装 , H为TSOP封装 , B为BGA封装 , D为LQFP封装5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz