P沟MOS电晶体 _生活百科

P沟MOS电晶体【P沟MOS电晶体】金属氧化物半导体场效应(MOS)电晶体可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应电晶体在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连线源极和漏极的沟道。
基本介绍中文名：P沟MOS电晶体
属性：电路元件
组成类别：N沟道与P沟道
套用：连线源极和漏极的沟道
P沟MOS电晶体改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应电晶体称为P沟道增强型场效应电晶体。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应电晶体称为P沟道耗尽型场效应电晶体。统称为PMOS电晶体。P沟道MOS电晶体的空穴迁移率低,因而在MOS电晶体的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS电晶体的跨导小于N沟道MOS电晶体。此外，P沟道MOS电晶体阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型电晶体——电晶体逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体积体电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍採用PMOS电路技术。PMOS积体电路是一种适合在低速、低频领域内套用的器件。PMOS积体电路採用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路採用两种电源供电。採用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。MOS场效应电晶体具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易製成规模大的积体电路。各种场效应管特性比较

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