漏电导 _生活百科

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漏电导定义两个导体之间的漏电流I与它们之间的电压U的比值为该导体系统的漏电导，用G表示。
说明
漏电导与形状、位置、介质有关，与I和U无关。
孤立导体与无穷远处的导体之间存在漏电导。
计算方法
【漏电导】从定义出发，设两导体之间的漏电流I，求U值，或者由U求出I，得G 。从比拟法出发，利用C-G和 - 的比拟关係，直接由电容值得到对应的漏电导值。
基本介绍中文名：漏电导
外文名：leakage conductance
关係：与形状、位置、介质有关
用阶梯状栅结构改善GaAs MESFET漏电导描述了一种新的阶梯状栅GaAsMESFET结构，与常规凹槽栅结构相比，它的漏电导很低，为了降低漏电导，用二维器件模拟使得与栅结构有关的器件参量最佳化。根据这些最佳化的器件参量製造的器件显示出很低的漏电导。降低了漏电导就可以改进高须GaAS模拟积体电路的最大可用增益。阶梯状栅结构提出了一种新的阶梯状栅结构，可用它来实现很低的漏电导。在常规的挖槽栅MESFET中，漏栅电场随着漏压的增加而增加，并且沟道电阻也受漏电压的影响，这在短沟道器件中尤其严重。于是，漏电导随着漏压的增加而增加。但是，阶梯状栅结构 ( 它具有典型的器件参呈 ) 的优点在于它减小了漏侧的耗尽层，进而有可能改善漏电导gd，而且有效栅长变短，于是还可预计到跨导gm也得到了改善。为了设计最佳化的栅结构，必须阐明各个栅结构参量对gm和gd的影响。分四种情况研究了几何结构对器件参数的影响。固定器件的总栅长、杂质浓度以及源和栅电极之间的间隔，而且假设其他的器件参量几乎是与第四节中实验器件的结构相同。用二维模拟进行教值分析在模拟中，採用了早先报导过的边界条件和物理模型。假设在栅电极处肖特基势垒的高度为0.8ev 。此外，根据质点模拟建立了静态速度场关係。于是，三组微分方程，即泊松方程和分别对应于电势，载流子密度n和p的电流连续方程叠代求解，在这些方程中，将n和p直接选择为未知变数，而不是各自根据準费米电位来确定。因此，得到的矩阵具有非对称的形式，而且，不能再用早先适用于对称矩阵的ICCG方法。为了求解非对称矩阵，引入了有前置条件的ICCG方法。在全部模拟中，计算结果取决于杂质浓度和界麵条件。此外，随着栅长降到1.0μm或者更小，则可以预期速度过沖现象将起主导作用。为了定量地讨论器件特性，首先应该精确地实现早先提到的条件。但是在模拟中，由于工作主要集中于栅结构的器件设计，在假设条件中像杂质浓度等这样一些器件参量都取为典型值，并且没有考虑速度过沖现象的模型。因此在计算中确定了定性讨论的边界条件。栅结构最佳化採用描述的四类情况，可以实现栅结构的最佳化，特别是从gd值的角度来看更是如此。在这一最佳化过程中，只有栅结构是变化的，而其他器件参量都是固定不变的。gm和gd随几何结构变化的模拟结果作为代表值示出的特性 (a)～(e) 分别相应于栅几何结构，同时也与实线相对应。按参量器件的特性可以顺序概要地叙述如下：l) 随着栅长减小，gd值增加。漏电导的这种增加是由于耗尽层从漏侧向外扩展，使得沟道电阻减小引起的。在栅长较短时这种趋势更明显。漏电压对漏电流的关係曲线与栅长的器件是相对应的。当栅长下降时，gm的值从198改善到199mS/mm，但是