gd的值从6.6退化到I6.0mS/mm 。此外，在栅长为1μm或更小的器件中，速度过沖现象将起支配作用，它使得gm增加而gd只是略有增加 。因此，不管是否考虑非稳态载流子动力学，在实际器件中由于栅长减小而使gd增加是不能避免的 。2) 随着lgd长度的增加，gd值从6.6mS/mm改善到1.0/mm这种改进是由于漏电极一 侧的强电场减弱，在下面将要讨论，在这种情况下沟道电阻对外加电压是不灵敏的 。为了讲清楚阶梯状栅的影响，将要计算在源、漏电极互换时的特性，与正常的偏置条件不同，此时漏电场影响沟道电阻，并得到短沟道相应的gd值，描述的实验证实了这种性质，因而建议採用阶梯状栅来降低漏电场 。3 ) 随着lgd长度的减小，漏电场对gd值的影响越来越明显 。由于很强的漏电场的作用，漏电压的变化直接影响到沟道电阻 。4 ) 当t2上升时，gd值减小 。但是t2值进一 步上升时，短沟道效应成为起主导作用的因素，因而使gd值上升 。阶梯高度有一 最佳值，为0.03μm 。在考虑gd值时，上面假设的具有0.4μmlgs，0.75μmlgd，0.12μmt1以及0.03μm阶梯高度t2的器件是最佳化的值 。由于在阶梯状栅处漏电场降低，gd特性得到改善 。显然，对于具有各种栅结构的代表性器件，取得沟道部分的一 维电势分布是十分有用的 。从这些曲线可以看出具有阶梯状栅的器件的沟道部分的电场对外加电压 是最不灵敏的，并且由于减弱了强电场，可以实现最小的gd值 。另一方面，gm特性是依赖于偏置条件和gd特性的 。这些因素不允许对gm成功地实现最佳化 。考虑漏电导时绝缘子串的分布电压当考虑漏电导时，利用差分方程式导出悬垂式绝缘子串的分布电压 。为进一步研究绝缘子串的电气强度提供了理论依据 。绝缘子串的精确计算公式的必要性对悬垂式绝缘子串的电压分布的计算，大多採用微分方程，此法较繁且没有考虑绝缘子串的漏电导 。然而随着输电线路额定电压的升高，对绝缘子串电气强度的要求也在不断地提高，漏电导对绝缘子串电压分布的影响也越来越不可忽视 。正如雷过电压下长绝缘子串的电气强度所述，绝缘子绝缘结构的尺寸根据髒污和潮湿条件下的放电特性选择 。又如500kV覆冰绝缘子串的工频和操作电压特性试验所述，覆冰绝缘子串的电气强度与覆冰受污染的程度有极大关係 。另一方面，随着电子技术的发展，测量仪器精度的提高，导出绝缘子串的精确计算公式显然是很有必要的 。公式的导出与分析当悬垂式绝缘子串受雨雪的侵蚀或工作于污秽湿润的条件时，绝缘子表面的漏电导就不能忽视，它不仅影响电压的分布，且当超过一定限度时，会引起过电流和绝缘子的破坏 。悬垂式绝缘子串的 一部分，各绝缘子有漏电导G，极间部分电容C，对地部分电容C 。以及高压导线的部分电容Cl 。在n+1点，因流入电流的代数和等于零，便有(G + jwC) (Un+2一 Un+1) 一 (G +jwC)(Un+1一 Un)一 jwCoUn+1+jwC1(U 一Un+1)=0为容易说明漏电导对电压分布的影响，令C=70pF，k0=5/70，k1=1/70、kg=0，M=12，利用用差分方程计算绝缘子串的压分布导出的公式，把Um/U，Um(m-1)/U的值算出，以便和M=∣Un/U∣及N=∣Un(n-1)/U∣值作比较，画出kk=0情况下，U