【海力士发布72层256G 3D闪存芯片 适合未来iPhone】苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片 。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20% 。

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海力士自从2016年11月开始生产 48 层 256Gb 3D NAND 芯片 。之前的 36 层 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月开始生产 。因为层数更多，利用现有的生产线，产能可以提升 30% 。海力士将在今年下半年开始量产 。

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7 和7 Plus 配备的 NAND 闪存供应商来自东芝和海力士 。一些7 采用东芝 48 层 3D BiCS NAND 芯片，这种芯片之前从未出现在其他商业产品中 。其他7 型号采用海力士闪存芯片 。
32GB7 比 128 GB 型号更慢，前者的数据读取速度为 656 Mbps，后者为。东芝和海力士的内存芯片采用 15纳米工艺打造

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