电晶体放大方法

电晶体放大方法【电晶体放大方法】电晶体放大方法是使用电晶体来实现信号电平放大的方法 。电晶体是一种三层结构的半导体器件 , 中间薄层称为基区 , 它与其他两层的半导体导电类型不同 , 若基区为N型(电子导电型) , 则其他两层为P型(空穴导电型) , 该类电晶体称为PNP型电晶体 。若基区为P型 , 则为NPN型电晶体 。在适当的直流偏置电平下 , 流入基区的微量电流变化可引导出集电区中电流甚大的变化 。因而 , 在一定直流偏压下 , 给予基区一信号电平 , 在集电极(集电区引出端子)上可形成与输入信号相似但得到幅度成倍增长的电平 , 从而实现信号放大 。
电晶体的另一区域称为发射区(导电类型与集电区相同) , 其对应的引出端子称为发射极 。按输入、输出端连线方式的不同 , 电晶体放大电路可分三种:①共发射极放大电路 , 其特点是输入、输出阻抗适中 , 一般情况下 , 电流、电压均有增益;②集电极电路 , 集电极为输入、输出公用端 , 基极输入、发射极输出 , 其特点是有电流增益 , 但电压传输係数小于1;③共基极电路 , 发射极输入、集电极输出 , 其特点是电流传输係数小于1 , 有电压增益 , 频率回响好 。可按不同的需要採用不同的电晶体放大方法 。