记忆体编码含义 _生活百科

记忆体编码含义【记忆体编码含义】记忆体编码含义，需要我们知道记忆体颗粒编码主要数位的含义，拿到一个记忆体条后就非常容易计算出它的容量。
基本介绍中文名：记忆体编码含义
外文名：Samsung
电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
Samsung具体含义解释

文章插图
主要含义：第1位——晶片功能K，代表是记忆体晶片。第2位——晶片类型4，代表DRAM 。第3位——晶片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的记忆体採用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第8位——为一个数字，表示记忆体的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks 。对于记忆体而言，数据宽度×晶片数量=数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条记忆体就是1个或2个bank 。例如256M记忆体32×4格式16颗晶片：4×16=64，双面记忆体单bank；256M记忆体16M×16格式 8颗晶片：16×8=128，单面记忆体双bank 。所以说单或双bank和记忆体条的单双面没有关係。另外，要强调的是主机板所能支持的记忆体仅由主机板晶片组决定。记忆体晶片常见的数据宽度有4、8、16这三种，晶片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主机板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。第9位——由一个字元表示採用的电压标準，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是记忆体功耗更低，同时为超频留下更大的空间。第10位——由一个字元代表校订版本，表示所採用的颗粒所属第几代产品，M表示1st，A-F表示2nd-7th 。目前，长方形的记忆体颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就採用E、F居多。靠前的编号并不完全代表採用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。第11位——连线“-” 。第12位——由一个字元表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本採用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。第13位——由一个字元表示温控和电压标準，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标準；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，一般很少在普及型记忆体上使用，因为三星比较注重稳定性和兼容性，并不想更多的发烧友超频带来危险。第14、15位——晶片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz) 。DDR2起步频率是400MHz，主流最高频率是800MHz，也有品牌出过1066MHz，其实在DDR2的套用层面上已经没有多大的用处了，因此这段的两个字元“CC”表示DDR2-400（200MHz@ CL=3、tRCD=3、tRP=3）、“D5”表示DDR2-533（266MHz@ CL=4、tRCD=4、tRP=4）、“E6”表示DDR2-667（333MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5）、“E7”表示DDR2-800（400MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5）三星的编号还有第16、17、18三位，这三位编号并不常见，一般用于OEM与特殊的领域，因而在此就不介绍了。容量计算知道了记忆体颗粒编码主要数位的含义，拿到一个记忆体条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR记忆体，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据频宽，这样我们可以计算出该记忆体条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆位元组）。注：“bit”为“数位”，“B”即位元组“byte”，一个位元组为8位则计算时除以8 。关于记忆体容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC记忆体，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条记忆体；另一种ECC记忆体，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出记忆体数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的记忆体条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片记忆体颗粒贴片的记忆体条是ECC记忆体。Hynix(Hyundai)现代现代记忆体的含义：HY5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY代表是现代的产品2、记忆体晶片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V4、晶片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref5、代表晶片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关係7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_28、晶片核心版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表核心越新9、代表功耗：L=低功耗晶片，空白=普通晶片 10、记忆体晶片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266AInfineon（亿恆）亿恆简介Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的记忆体颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其记忆体的容量、数据宽度。Infineon的记忆体伫列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其记忆体颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。容量标示HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该记忆体数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits 。Infineon记忆体颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。-7.5——表示该记忆体的工作频率是133MHz；-8——表示该记忆体的工作频率是100MHz 。例如：1条Kingston的记忆体条，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的记忆体颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆位元组）。1条Ramaxel的记忆体条，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的记忆体颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆位元组）。KINGMAX记忆体的说明简介Kingmax记忆体都是採用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到採用Kingmax颗粒製作的记忆体条全是该厂自己生产。Kingmax记忆体颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits 。在此可以将每种容量系列的记忆体颗粒型号列表出来。容量备注KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。Kingmax记忆体的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识记忆体的工作速率： -7A——PC133 /CL=2；-7——PC133 /CL=3；-8A——PC100/ CL=2；-8——PC100 /CL=3 。例如一条Kingmax记忆体条，採用16片KSV884T4A0A-7A 的记忆体颗粒製造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆位元组）。Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光记忆体的编码规则。含义：MT——Micron的厂商名称。48——记忆体的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR 。LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V 。16M8——记忆体颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。A2——记忆体核心版本号。TG——封装方式，TG即TSOP封装。-75——记忆体工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz 。实例：一条Micron DDR记忆体条，採用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒製造。该记忆体支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片记忆体颗粒。其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元组）。Winbond（华邦）含义说明：