文章插图
A栏位由W组成,代表华邦(Winbond)记忆体晶片的前缀 。B栏位表示产品类型 。98代表SDRAM记忆体94代表DDR SDRAM记忆体 。C栏位表示记忆体晶片的容量 。16代表16Mbit(2MB)32代表32Mbit(4MB)64代表64Mbit(8MB)12代表128Mbit(16MB)25代表256Mbit(32MB) 。要计算记忆体条的总容量,只需将记忆体晶片的容量乘上记忆体晶片的数量即可 。D栏位表示记忆体结构 。08代表*816或G6代表*1632或G2代表*32 。E栏位表示记忆体晶片的修正版本 。A代表第1版B代表第2版C代表第3版D代表第4版 。F栏位表示记忆体晶片的封装方式 。B代表60balls BGA、90balls BGA或144-Ball LF BGA封装D代表100-Pin LQFP封装H代表50-Pin 400mil TSOP、66-Pin 400mil TSOP或86-Pin 400mil TSOP封装 。G栏位表示记忆体晶片的速度标识 。对于SDRAM而言:-5代表200MHz(CL=3)-6代表166MHz(CL=3)-7代表143MHz(CL=3)或PC133(CL=2)-75代表PC133(CL=3)-8H代表PC100(CL=2) 。对于DDR SDRAM而言:-4代表250MHz(CL=3/4)-5代表DDR400(CL=2.5)-5H代表200MHz(CL=3)-55代表183MHz(CL=3)-6代表DDR333(CL=2.5)-7代表143MHz(CL=2.5)或DDR266(CL=2)-75代表DDR266(CL=2.5) 。H栏位表示工作温度类型(此栏位也可空白) 。空白或L代表正常温度(0℃~70℃),I代表工业温度(-40℃~85℃)或扩大温度(-25℃~85℃) 。
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