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国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，国际电气与电子工程师协会终身会士，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都逝世，享年89岁。
陈星弼，1931年1月出生于上海，1952年毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，1956年开始在电子科技大学任教，1999年当选中国科学院院士。他是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，该发明被称为“功率器件的新里程碑”，其美国发明专利已被超过550个国际专利引用。2018年，在功率半导体领域最顶级的学术年会上，陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。
他的一生，充满了传奇。
漂泊少年求真理
【举世无双什么意思举世无双是什么生肖举世无双的三大生肖】1937年，全面抗战爆发，那年陈星弼6岁，却不得已告别熟悉的家，跟随父母踏上了逃难漂泊的生活。他们先逃到浙江余姚，陈星弼在余姚县横河小学读三年级，可是才读没多久，上海陷落了，陈星弼又跟随父母逃往浦江。一路不停地逃亡，偶然地安顿，转学四次才终于结束了小学生活。
回到上海以后，陈星弼就读于著名的敬业中学，近十年颠沛流离的生活和贫困艰苦的环境让他在学业上和同班同学差了一大截，倔强的陈星弼勤奋努力，迎头赶上。有一次，老师还在全班同学面前表扬陈星弼“特立独行”的解题风格，不管是否会做，都有自己特别的方法。老师还鼓励陈星弼“要一辈子做傻瓜（老实人），不要投机取巧” 。老师对陈星弼的影响极大，习惯独立解题的陈星弼在之后的科研中也更能发现问题，啃下硬骨头。“做傻瓜”的人生信条也让他一丝不苟、踏踏实实、不计浮名。

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陈星弼（前排中）与部分高中同学合影（1945年）
热血初缘半导体
1952年，陈星弼从同济大学电机系毕业，之后他被分配到厦门大学电机系当助教。
第二年，国家开始院系调整，陈星弼转到南京工学院无线电系。在那里，他辅导了四年电工基础课。1956年，他被指定到新成立的成都电讯工程学院工作，同时也给了他进修新学科的机会。做了四年电工基础的陈星弼敏锐地捕捉到半导体这一新方向，他选择到中国科学院应用物理研究所进修半导体。
在该所工作的两年半里，他一边工作，一边自学了从物理系四大力学到半导体有关的专业课。他暗下决心要跨越转专业难关，投身祖国新兴的半导体事业。

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陈星弼与毛钧业教授研讨工作
命运总是青睐有准备的人。20世纪60年代末70年代初的彩色电视大会战，给陈星弼提供了在科研实践领域崭露头角的机会。
1969年，陈星弼被派到773厂支援研制氧化铅摄像管。一次，他通过该厂资料所的人获知，贝尔实验室正在研制硅靶摄像管。陈星弼向当时学校负责彩电攻关的许宗藩提出研制硅靶摄像管的建议。这一科研项目得到省国防科委的大力支持。
成都电讯工程学院被四机部接管后，接受的第一个科研任务就是研制硅靶摄像管。全组人经过四个月的艰苦奋战，在733厂和970厂的配合下，终于研制出我国第一支硅靶摄像管。
陈星弼不仅个人快速成长，他在担任三系系主任后，带领全系老师成功地申请到“半导体器件与微电子学”的博士点，为学校在该学科领域的发展做出了开创性的贡献。

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陈星弼（后排左三）与半导体专业部分教师合影（摄于20世纪80年代）
“二次革命”引潮流
在“第二次电子革命”中，陈星弼通过改变功率管的结构，发明了复合缓冲耐压结构，现称为超结器件。该技术已经获得美国和中国发明专利。
这个方法的工艺被改进后，成本大大下降，目前已成为一种重要产品，科技成果转化市场规模每年超过10亿美元。

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陈星弼在伯克利校门前留影（摄于1981年）
但是陈星弼对超结器件仍然不满意，他耿耿于怀的是它的缺陷。他又研制成功了“具有异型掺杂岛耐压结构” 。

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