颗粒篇 [深入理解NAND Flash ] 闪存芯片物理结构与_SLC/MLC( 二 ) _闪存

每种类型的NAND闪存都有不同的使用寿命，这意味着它会在SSD降级并最终失效之前提供有限数量的P/E周期。当然，除了制造缺陷，电力激增或其他灾难性的破坏可能导致SSD的失效。这是决定SSD支持的存储工作负载和应用程序类型的主要影响因素。
个人使用推荐使用MLC/TLC, TLC 是主流。TLC SSD趋势不能阻挡，虽然TLC SSD的性能比不过用MLC的SSD，但再糟糕都比HDD要好得多。所以我们要有这个观念。第二，在TLC的推动下，240GB的SSD已经不用400元就能入手，性价比十分不错。总之，TLC不再是吴下阿蒙，所以我们不必再担心TLC的种种顾虑，尽情使用吧！毕竟质保放在这呢。
2.3 如何在电商网站查看SSD 闪存类型
3.1、三星（）512GB 970 PRO
下图是三星（）512GB SSD固态硬盘 970 PRO ：
参数如下：
参数表中，闪存类型是 MLC。
3.2、三星（） 970 EVO Plus
下图是三星（）500GB SSD固态硬盘 970 EVO Plus（MZ-）：
参数如下：
上面参数表中，闪存类型是 TLC，512G的价格是 7多百元。
与上面的那一款都是三星 970 系列，容量都是 512GB，但是价格却相差近一倍，最大的区别就是闪存不同。

文章插图
2.4 TLC工作原理：
根据NAND的物理结构，NAND是通过绝缘层存储数据的。当你要写入数据，需要施加电压并形成一个电场，这样电子就可以通过绝缘体进入到存储单元，此时完成写入数据。如果要删除存储单元（数据），则要再次施加电压让电子穿过绝缘层，从而离开存储单元。
所以，NAND闪存在重新写入新数据之前必须要删除原来数据。
由于TLC的1个存储器储存单元可存放3 bit的数据，为了区分，必须使用不同电压来实现。除了能够实现和SLC一样的000（TLC）=0（SLC）和111（TLC）=1（SLC）外、还有另外六种数据格式必须采用其他不同的电压来区分，让不同数量的电子进入到存储单元，实现不同的数据表达。这样，才能让TLC实现单位存储单元存放比SLC、MLC更多数据的目的。
2.4 为什么TLC的性能在三种介质中最差？
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由于数据写入到TLC中需要八种不同电压状态，而施加不同的电压状态、尤其是相对较高的电压，需要更长的时间才能得以实现（电压不断增高的过程，直到合适的电压值被发现才算完成）。
所以，在TLC中数据所需访问时间更长，因此传输速度更慢。经过实测，同等技术条件下，TLC的SSD性能是比不上MLC SSD的。
3 2D NAND VS 3D NAND
为闪存市场带来突破的最大创新之一是3D NAND或V-NAND 。顾名思义，它使用堆叠架构在SSD中安置内存单元，而不是过去平面排列的方法。
实际上，与2D NAND相比，这种架构使供应商能够以更低的成本，将更多的容量压缩到更小的物理空间中。它还能提供更快的速度、更长的使用寿命和更低的功耗。现在大多数主要SSD供应商都提供3D NAND SSD 。
3D NAND闪存对比2D有着寿命优势
3D NAND闪存就是TLC的一个重要方向。3D NAND是不再追求缩小Cell单元，而是通过3D堆叠技术封装更多Cell单元，所以我们不必要追求更先进的制程，毕竟制程约先进，寿命反而越差。所以，可以使用相对更旧的工艺来生产3D NAND闪存，使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升，而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。
3D NAND闪存结构
未来的3D NAND可能都会做成可以MLC与TLC工作模式相互切换，也就是用TLC屏蔽一半容量、来充当MLC，也就是各种所谓的3bit MLC技术创新。
4 颗粒等级
挑选固态硬盘不仅看颗粒类型，更要看颗粒等级。