中国科学院微电子研究所研究员 王文武

王文武(中国科学院微电子研究所研究员)【中国科学院微电子研究所研究员 王文武】王文武,2008-至今 :中国科学院微电子研究所 。
基本介绍中文名:王文武
国籍:中国
性 别: 男
职 称: 研究员
个人简介学 历: 博士所属部门:科技处简历:2006-2008年:日本半导体MIRAI项目;2003-2006年:日本东京大学,获得工学博士学位;1998-2003年:兰州大学,获得理学博士学位;1997-1998年:中国空间技术研究院第510研究所;1992-1997年:兰州大学,本科学习 。研究方向纳米尺度CMOS器件与工艺技术获奖及荣誉1.2007年获得日本半导体MIRAI项目优秀奖,获奖项目:“Mechanism and control for the anomalous threshold voltage variation in metal/high-k gate stack”,本人排序:2;2.2008年获得日本半导体MIRAI项目最优秀奖,获奖项目:“Clarification and quantification of interfacial dipole effect in high-k gate stack”,本人排序:9 。申请发明专利30余项,其中美国专利2项,日本专利2项,国内专利30余项 。承担科研项目情况:1.国家02科技重大专项项目:“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”(批准号:2009ZX02035),子课题负责人,在研;2.国家自然科学基金重点项目:“铪基金属氧化物高k栅介质的基础研究” (批准号:50932001),子课题负责人,在研;3.教育部留学人员回国启动基金:“纳米尺度CMOS器件金属栅极的製备和高k/金属栅集成与阈值电压控制技术”,课题负责人,在研;4.中科院微电子研究所所长基金:“高k/金属栅集成与阈值电压控制技术” (批准号:08SF041001),课题负责人,在研 。