金应荣【金应荣】金应荣， 男，工学博士 。1985年毕业于重庆大学冶金及材料工程系，1988年到四川航天公司工作，1999年到四川大学大学攻读博士学位，2002年到西华大学工作，现为西华大学材料科学与工程学院副院长、研究员、硕士生导师 。
基本介绍中文名：金应荣
国籍：中国
职业：副院长、研究员、硕士生导师
毕业院校：重庆大学
个人简介
文章插图
金应荣教育背景1981.09-1985.07 重庆大学冶金及材料工程系 ，工学学士 。1985.09-1988.07 哈尔滨工业大学材料系 ， 工学硕士 。1999.09-2002.06 四川大学材料科学与工程学院 ，工学博士 。工作履历1988.07-1999.08 四川航天公司 ， 先后担任助理工程师，工程师和高级工程师2002.06-今 西华大学 ，先后担任研究生部副部长，材料科学与工程学院副院长研究领域光电子材料与器件，半导体材料与器件 。科研项目1) 铝酸盐长余辉发光材料，西华大学人才基金，2002.07－2007.05，负责；2) 优质碘化铅单晶体生长及碘化铅探测器研製，四川省教育厅重点项目，2007.01-2008.12，负责；3) CoO2/Ca2CoO3超晶格热电材料的界面稳定性研究，教育部春晖计画项目，2006.12-2009.12，负责；4) 具有大面积pn结的U型热电发电器研究，教育部春晖计画项目，2010.12-2012.12， 。负责研究概况主要从事光电子材料与器件和半导体材料与器件方面的研究工作，在光电子材料的製备方面取得一定进展 。发表文章30多篇 。发明专利学术创新点如下：1〕观察到了碘化铅熔体与液态铅分层的现象，修订了Pb-I相图，提出了生长碘化铅单晶体的新方法；2）在Ca3Co4O9热电材料的常温常压緻密化烧结方面取得了一定进展 。主讲课程主讲《材料製备技术》、《功能材料与智慧型材料》等 。论文与专利1 Yi He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Yingrong Jin, Zhiyu He, Baojun Chen, Improved growth of PbI2 single crystals, Journal of Crystal Growth, Volume 300, Issue 2, March 2007, Pages 448-4512 Zhu, X. H., Wei, Z. R, Jin, Y. R.; Xiang A. P., Growth and characterization of a PbI2 single crystal used for gamma ray detectors, Crystal Research and Technology, Volume 42, Issue 5, March 2007, Pages 456-4593 金应荣，朱世富，赵北君，陈松林，何福庆，CdSe核辐射探测器中的MIS接触电极，半导体学报，25卷，2004年，1301-13054 李丽霞，金应荣，贺毅，赵欣，U型坩埚内碘化铅熔体中的气泡分析，西华大学学报(自然科学版)，27卷，2008年5月，56-57,685 金应荣，李丽霞，贺毅，朱兴华，U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体，西华大学学报(自然科学版)，26卷，2007年1月，31-326 王鹏飞，金应荣，鲁云，刘磊，陈建文，王琴，温差对CaMnO3和Ca3Co4O9热电器件输出功率的影响，西华大学学报(自然科学版)，30卷，2011年3月，78-817 赵欣，金应荣，朱兴华，垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体，材料科学与工艺，14卷，2006年8月，428-4318 金应荣，朱兴华，贺毅，朱世富，赵北君，栾道成，用碘化铅熔体生长单晶体的方法，发明专利，金应荣，周华，栾道成，刘锦云，贺毅，牛天梅，曾启，赵远东，旋转式高精度气密性检测装置，发明专利，