第2版电子电路分析与设计 _生活百科

电子电路分析与设计（第2版）【第2版电子电路分析与设计】《电子电路分析与设计（第2版）》是2015年5月1日清华大学出版社出版的图书，作者是Muhammad H. Rashid、王永生、罗敏、田丽、曹贝、来逢昌。
基本介绍书名：电子电路分析与设计（第2版）
ISBN：:9787302400592
页数：886页
出版社：清华大学出版社
出版时间：2015-5-1
装帧：平装
出版信息电子电路分析与设计（第2版）作者:Muhammad H. Rashid ，王永生，罗敏，田丽，曹贝，来逢昌出版社:清华大学出版社出版年:2015-5-1页数:886装帧:平装ISBN:9787302400592内容简介《信息技术和电气工程学科国际知名教材中译本系列:电子电路分析与设计(第2版)》共16章，第1章介绍了电子电路的设计流程，其他章节可划分为以下六个部分：放大器的特性及频率回响（第2章和第3章）；二极体及其套用（第4章和第5章）；半导体基础、电晶体和放大器（第6章、第7章、第8章和第11章）；电子电路的特性和分析（第10章、第12章和第13章）；数字逻辑门电路（第15章）；积体电路及套用（第9章、第14章和第16章）。附录包括基本电路分析的总结和PSpice简介。《信息技术和电气工程学科国际知名教材中译本系列:电子电路分析与设计(第2版)》是电子电路分析和积体电路设计的理想教材和参考书，可以作为高等院校电子信息类专业本科生和研究生的教材，也可作为相关领域工程师的参考用书。图书目录译者序1原书前言3教学计画和课程大纲7第1章电子学与设计绪论1.1引言1.2电子学的历史1.3电子系统1.3.1感测器1.3.2执行器1.4电信号和标记法1.4.1模数转换器1.4.2数模转换器1.4.3标记法1.5电子系统的分类1.6电子系统的规範1.6.1瞬态规範1.6.2失真1.6.3频率规範1.6.4直流和小信号规範1.7放大器类型1.8电子系统的设计1.9电子电路的设计1.9.1分析和设计1.9.2工程设计的定义1.9.3电路级设计过程1.9.4从设计的角度进行研究的好处1.9.5设计项目的类型1.9.6设计报告1.10电子器件1.10.1半导体二极体1.10.2双极型电晶体1.10.3场效应电晶体1.11新兴电子1.11.1忆阻器1.11.2有机电子1.11.3生物电子参考文献习题第2章放大器及频率回响概论2.1引言2.2放大器特性2.2.1电压增益2.2.2电流增益2.2.3功率增益2.2.4对数增益2.2.5输入输出电阻2.2.6放大器饱和2.2.7放大器非线性2.2.8上升时间2.2.9转换速率2.3放大器类型2.3.1电压放大器2.3.2电流放大器2.3.3跨导放大器2.3.4跨阻放大器2.4级联放大器2.4.1级联电压放大器2.4.2级联电流放大器2.5放大器的频率回响2.5.1低通特性2.5.2高通特性2.5.3带通特性2.5.4增益与频宽的关係2.6密勒定理2.7频率回响方法2.7.1低频传递函式方法2.7.2高频传递函式方法2.7.3密勒电容方法2.7.4低频短路方法2.7.5高频零值方法2.7.6中频电压增益2.7.7多级放大器2.8PSpice/SPICE放大器模型2.8.1电压放大器2.8.2电流放大器2.8.3跨导放大器2.8.4跨阻放大器2.9放大器设计本章小结参考文献问题回顾习题第3章运算放大器和套用概论3.1引言3.2理想运算放大器的特性3.2.1运算放大器电路模型3.2.2运算放大器频率回响3.2.3共模抑制比3.3运算放大器PSpice/SPICE模型3.3.1直流线性模型3.3.2交流线性模型3.3.3非线性宏模型3.4理想运算放大器的分析3.4.1同相放大器3.4.2反相放大器3.5运算放大器的套用3.5.1积分器3.5.2微分器3.5.3差分放大器3.5.4仪表放大器3.5.5同相求和放大器3.5.6反相求和放大器3.5.7加法减法放大器3.5.8光耦驱动器3.5.9光电探测器3.5.10电压电流转换器3.5.11直流电压表3.5.12直流毫伏表3.5.13负阻抗转换器3.5.14恆流源3.5.15同相积分器3.5.16电感模拟器3.5.17交流耦合自举电压跟随器3.6运算放大器电路的设计本章小结参考文献问题回顾习题第4章半导体二极体4.1引言4.2理想的二极体4.3二极体电路的转移特性4.4实际二极体4.4.1实际二极体的特性 4.4.2二极体常数的确定4.4.3温度效应4.5实际二极体电路的分析4.5.1图解法4.5.2近似法4.5.3叠代法4.5.4数学法4.6实际二极体的模型4.6.1恆压降直流模型4.6.2分段线性直流模型4.6.3低频小信号模型4.6.4PSpice/SPICE二极体模型4.7齐纳二极体4.7.1齐纳稳压器4.7.2齐纳稳压器的设计4.7.3齐纳限幅器4.7.4齐纳二极体的温度效应4.8发光二极体4.9额定功率4.10二极体的数据表本章小结参考文献问题回顾习题第5章二极体的套用5.1引言5.2二极体整流器5.2.1单相半波整流器5.2.2单相全波中心抽头的整流器5.2.3单相全波桥式整流器5.3整流器的输出滤波器5.3.1L滤波器5.3.2C滤波器5.3.3LC滤波器5.4二极体峰值检测器和解调器5.5二极体斩波器5.5.1并联斩波器5.5.2串联斩波器5.6二极体钳位电路5.6.1固定移位钳位电路5.6.2可变移位钳位电路5.7二极体电压乘法器5.7.1倍压器5.7.2电压三倍器以及四倍器5.8二极体函式产生器本章小结参考文献问题回顾习题第6章半导体和pn结特性6.1引言6.2半导体材料6.2.1n型材料6.2.2p型材料6.2.3多子和少子6.2.4费米函式6.2.5载流子浓度6.3零偏pn结6.3.1内建结电势6.3.2电场分布6.3.3结电势分布6.3.4空间电荷耗尽区宽度6.4反偏pn结6.4.1击穿条件6.4.2耗尽区宽度6.4.3结电容6.5正偏pn结6.5.1耗尽区宽度6.5.2少子电荷分布6.6结电流密度6.7温度依赖性6.8高频交流模型6.8.1耗尽电容6.8.2扩散电容6.8.3正偏模型6.8.4反偏模型本章小结参考文献问题回顾习题第7章金属氧化物半导体场效应电晶体7.1引言7.2金属氧化物场效应电晶体7.3增强型MOSFET7.3.1工作过程7.3.2输出特性和转移特性7.3.3沟道长度调製7.3.4衬底偏置效应7.3.5互补MOS7.4耗尽型MOSFET7.4.1工作过程7.4.2输出和转移特性7.5场效应电晶体模型和放大器7.5.1直流模型7.5.2交流小信号模型7.5.3PSpice模型7.5.4小信号分析7.6MOSFET开关7.7MOSFET的直流偏置7.7.1MOSFET偏置电路7.7.2MOSFET偏置电路的设计7.8共源极放大器7.8.1採用电流源负载的共源极放大器7.8.2採用增强型MOSFET负载的共源极放大器7.8.3採用耗尽型MOSFET负载的共源极放大器7.8.4採用电阻负载的共源极放大器7.9共漏极放大器7.9.1有源偏置的源极跟随器7.9.2电阻偏置的源极跟随器7.10共栅极放大器7.11多级放大器7.11.1电容耦合级联放大器7.11.2直接耦合的放大器7.11.3共源共栅放大器7.12直流电平移位和放大器7.12.1电平移位方法7.12.2电平移位的MOS放大器7.13MOSFET放大器的频率回响7.13.1高频MOSFET模型7.13.2小信号PSpice模型7.13.3共源极放大器7.13.4共漏极放大器7.13.5共栅极放大器7.14MOSFET放大器的设计本章小结参考文献问题回顾习题第8章双极型电晶体及放大器8.1引言8.2双极型电晶体8.3BJT的工作原理8.3.1正向工作模式8.3.2截止、饱和与反向有源工作模式8.3.3基区致窄8.3.4饱和电流IS和电流增益βF的物理参数8.4输入输出特性8.5BJT电路模型8.5.1线性直流模型8.5.2小信号交流模型8.5.3小信号混合模型8.5.4PSpice/SPICE模型8.5.5小信号分析8.6BJT开关8.7双极型电晶体的直流偏置8.7.1有源电流源偏置8.7.2单基极电阻偏置8.7.3发射极电阻反馈偏置8.7.4射极跟随器偏置8.7.5双基极电阻偏置8.7.6偏置电路设计8.8共射极放大器8.8.1有源偏置共射极放大器8.8.2阻性偏置共射极放大器 8.9射极跟随器8.9.1有源偏置射极跟随器8.9.2阻性偏置射极跟随器8.10共基极放大器8.10.1输入电阻Ri8.10.2无负载电压增益Avo8.10.3输出电阻Ro8.11多级放大器8.11.1电容耦合级联放大器8.11.2直接耦合放大器8.11.3级联电晶体放大器8.12达灵顿对电晶体8.13直流电平移位和放大器8.13.1电平移位方法8.13.2电平移位的直流放大器8.14双极型电晶体的频率模型和回响8.14.1高频模型8.14.2小信号PSpice/SPICE模型8.14.3BJT的频率回响8.15BJT放大器的频率回响8.15.1共射极BJT放大器8.15.2共集电极BJT放大器8.15.3共基极BJT放大器8.15.4多级放大器8.16MOSFET与BJT8.17放大器的设计本章小结参考文献问题回顾习题第9章差分放大器9.1引言9.2差分放大器的内部结构9.2.1差分放大器的特性9.2.2差分放大器的内部结构9.3MOSFET电流源9.3.1基本电流源9.3.2改进型基本电流源9.3.3多重电流源9.3.4共源共栅电流源9.3.5威尔逊电流源9.3.6有源电流源的设计9.4MOS差分放大器9.4.1NMOS差分对9.4.2採用有源负载的MOS差分对9.4.3共源共栅MOS差分放大器9.5耗尽型MOS差分放大器9.5.1採用阻性负载的耗尽型MOS差分对9.5.2採用有源负载的耗尽型MOS差分对9.6BJT电流源9.6.1基本电流源9.6.2改进型基本电流源9.6.3Widlar电流源9.6.4共射共基电流源9.6.5威尔逊电流源9.6.6多重电流源9.7BJT差分放大器9.7.1採用阻性负载的BJT差分对9.7.2採用基本电流镜有源负载的BJT差分放大器9.7.3採用改进电流镜的差分放大器9.7.4共射共基差分放大器9.8BiCMOS差分放大器9.8.1BJT与CMOS放大器9.8.2BiCMOS放大器9.8.3级联电晶体BiCMOS放大器9.8.4双级联电晶体BiCMOS放大器9.9差分放大器的频率回响9.9.1採用阻性负载的频率回响9.9.2採用有源负载的频率回响9.10差分放大器的设计本章小结参考文献问题回顾习题第10章反馈放大器10.1引言10.2反馈10.3反馈的特性10.3.1闭环增益10.3.2增益敏感性10.3.3反馈係数敏感性10.3.4频率回响10.3.5失真10.4反馈拓扑结构10.4.1反馈结构10.4.2反馈关係10.5反馈放大器的分析10.6串联并联反馈10.6.1理想串联并联反馈网路的分析10.6.2实际串联并联反馈网路的分析10.7串联串联反馈10.7.1理想串联串联反馈网路的分析10.7.2实际串联串联反馈网路的分析10.8并联并联反馈10.8.1理想并联并联反馈网路的分析10.8.2实际并联并联反馈网路的分析10.9并联串联反馈10.9.1理想并联串联反馈网路的分析10.9.2实际并联串联反馈网路的分析10.10反馈电路设计10.11稳定性分析10.11.1闭环频率和稳定性10.11.2极点和不稳定性10.11.3瞬态回响和稳定性10.11.4闭环极点和稳定性10.11.5奈奎斯特稳定準则10.11.6相对稳定性10.11.7相位裕度的影响10.11.8採用波特图的稳定性分析10.12补偿技术10.12.1增加主极点10.12.2改变主极点10.12.3密勒补偿和极点分裂10.12.4调整反馈路径本章小结参考文献问题回顾习题第11章功率放大器11.1引言11.2功率放大器的分类11.3功率电晶体11.4A类放大器11.4.1射极跟随器11.4.2基本的共射极放大器11.4.3採用有源负载的共射极放大器11.4.4变压器耦合负载共射极放大器11.5B类推挽放大器11.5.1互补推挽放大器11.5.2变压器耦合负载推挽放大器11.6互补AB类推挽放大器11.6.1转移特性11.6.2输出功率和效率11.6.3採用二极体的偏置11.6.4採用二极体和有源电流源的偏置11.6.5採用VBE乘法器的偏置11.6.6準互补AB类放大器11.6.7变压器耦合AB类放大器11.7C类放大器11.8D类放大器11.9E类放大器11.10短路和热保护11.10.1短路保护 11.10.2热保护11.11功率运算放大器11.11.1功率放大器IC11.11.2桥式放大器11.12热考虑11.12.1热阻11.12.2热沉和热流11.12.3功耗与温度11.13功率放大器的设计本章小结参考文献问题回顾习题第12章有源滤波器12.1引言12.2有源滤波器与无源滤波器12.3有源滤波器类型12.4一阶滤波器12.5双二次函式12.6巴特沃斯滤波器12.6.1巴特沃斯函式（n=1）12.6.2巴特沃斯函式（n=2）12.6.3巴特沃斯函式（n=3）12.6.4高阶滤波器的巴特沃斯函式12.7传递函式的实现12.8低通滤波器12.8.1一阶低通滤波器12.8.2二阶低通滤波器12.8.3巴特沃斯低通滤波器12.9高通滤波器12.9.1一阶高通滤波器12.9.2二阶高通滤波器12.9.3巴特沃斯高通滤波器12.10带通滤波器12.10.1宽频通滤波器12.10.2窄带通滤波器12.11带阻滤波器12.11.1宽频阻滤波器12.11.2窄带阻滤波器12.12全通滤波器12.13开关电容滤波器12.13.1开关电容电阻12.13.2开关电容积分器12.13.3通用开关电容滤波器12.14滤波器设计準则本章小结参考文献问题回顾习题第13章振荡器13.1引言13.2振荡器原理13.2.1振荡条件13.2.2频率稳定性13.2.3幅度稳定性13.3音频振荡器13.3.1相移振荡器13.3.2正交振荡器13.3.3三相振荡器13.3.4文氏桥振荡器13.3.5环形振荡器13.4射频振荡器13.4.1科耳皮兹振荡器13.4.2Hartley振荡器13.4.3两级MOS振荡器13.5晶体振荡器13.6有源滤波调谐振荡器13.7振荡器设计本章小结参考文献问题回顾习题第14章运算放大器14.1引言14.2运放的内部结构14.3实际运放的参数和特性14.3.1输入偏置电流14.3.2输入失调电流14.3.3输入失调电压14.3.4电源抑制比 14.3.5热电压漂移14.3.6确定热电压漂移14.3.7失调电压调整14.3.8共模抑制比14.3.9输入电阻14.3.10输出电阻14.3.11频率回响14.3.12转换速率14.4CMOS运放14.4.1基本CMOS运放14.4.2CMOS运放MC1457314.4.3CMOS运放TLC107814.5BJT运放14.5.1BJT运放LM12414.5.2BJT运放LM74114.6LM741运放分析14.6.1直流分析14.6.2小信号交流分析14.6.3频率回响分析14.6.4小信号等效电路14.7BiCMOS运放14.7.1BiCMOS运放CA313014.7.2BiCMOS运放CA314014.7.3BiCMOS运放LH002214.7.4BiCMOS运放LF41114.7.5BiCMOS运放LH006214.7.6BiCMOS运放LH003214.8运放的设计本章小结参考文献问题回顾习题第15章数字电路概论15.1引言15.2逻辑状态15.3逻辑门15.4逻辑门的性能参数15.4.1电压转移特性15.4.2噪声容限15.4.3扇出与扇入15.4.4传输延迟15.4.5功耗15.4.6延迟功耗积15.5NMOS反相器15.5.1带增强型负载的NMOS反相器15.5.2带耗尽型负载的NMOS反相器15.5.3NMOS反相器比较15.6NMOS逻辑电路15.6.1NMOS传输门15.6.2NMOS或非门15.6.3NMOS与非门15.7CMOS反相器15.8CMOS逻辑电路15.8.1CMOS传输门15.8.2CMOS或非门和与非门15.8.3CMOS系列15.9CMOS和NMOS门的比较15.10BJT反相器15.10.1电压转移特性15.10.2开关特性15.11电晶体电晶体逻辑门15.11.1标準TTL门15.11.2高速TTL与非门15.11.3肖特基TTL与非门15.12发射极耦合逻辑或/或非门15.13BiCMOS反相器15.14逻辑门接口15.14.1TTL驱动CMOS15.14.2CMOS驱动TTL15.15逻辑门对比 15.16逻辑电路设计本章小结参考文献问题回顾习题第16章模拟积体电路及套用16.1引言16.2採用运放和二极体的电路16.2.1最大正信号检测器16.2.2精密峰值电压检测器16.2.3精密半波整流器16.2.4精密全波整流器16.2.5精密钳位电路16.2.6固定电压限幅器16.2.7可调电压限幅器16.2.8齐纳电压限幅器16.2.9硬限幅器16.3比较器16.3.1比较器与运放16.3.2输出侧连线16.3.3阈值比较器16.4过零检测器16.5施密特触发器16.5.1反相施密特触发器16.5.2同相施密特触发器16.5.3带参考电压的施密特触发器16.5.4迟滞对输出电压的影响16.6方波发生器16.7三角波发生器16.8锯齿波发生器16.9压控振荡器16.9.1充电模式16.9.2放电模式16.9.3电路实现16.9.4NE/SE566压控振荡器16.10555定时器16.10.1原理框图16.10.2单稳态多谐振荡器16.10.3单稳态多谐振荡器的套用16.10.4非稳态多谐振荡器16.10.5非稳态多谐振荡器的套用16.11锁相环16.11.1相位检测器16.11.2积体电路PLL16.11.3565 PLL的套用16.12电压频率和频率电压转换器16.12.1V/F转换器16.12.2F/V转换器16.13採样保持电路16.13.1SAH运放电路16.13.2SAH积体电路16.14数模转换器16.14.1加权电阻D/A转换器16.14.2R2R梯形网路D/A转换器16.14.3积体电路D/A转换器16.15模数转换器16.15.1逐次逼近型A/D转换器16.15.2积体电路A/D转换器16.16使用模拟积体电路的电路设计本章小结参考文献问题回顾习题部分习题答案

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