电源开关电路,经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制,是常用电路之一 。本文要讲解的电源开关电路,是用MOS管实现的,且带软开启功能 。
电路说明
电源开关电路,尤其是MOS管电源开关电路,经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制,如下框图所示 。
图中一个MOS管符号代表一个完成电路
在设计时,只要增加一个电容(C1),一个电阻(R2),就可以实现软开启(soft start)功能 。
C1、R2实现软开关功能
软开启,是指电源缓慢开启,以限制电源启动时的浪涌电流 。在没有做软开启时,电源电压的上升会比较陡峭,见下图:
没有做软开启,电压上升比较陡峭
加入软开启功能后,电源开关会慢慢打开,电源电压也就会慢慢上升,上升沿会比较平缓,见下图:
加入软开启,电压上升比较平缓
浪涌电流可能会令电源系统突然不堪重负而掉电,导致系统不稳定,严重的可能会损坏电路上的元器件 。
浪涌导致不稳定,甚至损坏电路
电源上电过快过急,负载瞬间加电,会突然索取非常大的电流 。比如在电源电压是5V,负载是个大容量电容的时候,电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5V,电容充电电流会非常大 。如果同样的时间内电源电压只上升到2.5V,那么电流就小得多了,下面从数学上分析一下 。
电量 = 电容容量 * 电容两端的电压,即:
Q = C * U
同时 电量 = 电流 * 时间,即:
Q = I * t
所以电流:
I = (CU) / t
从公式可以看出,当电容容量越大,电压越高,时间越短,电流就会越大,从而形成浪涌电流 。
大电容只是形成浪涌电流的原因之一,其他负载也会引起浪涌电流 。
原理分析
1、控制电源开关的输入信号为低电平或高阻时,三极管Q2的基极被拉低到地,为低电平,Q2不导通,进而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不导通,+ 无输出 。电阻R4是为了在为高阻时,将三极管Q2的基极固定在低电平,不让其浮空 。
2、当电源 +5V_IN 刚上电时,要求控制电源开关的输入信号为低电平或高阻,即关闭三极管Q2,从而关闭MOS管Q1 。因 +5V_IN 还不稳定,不能将电源打开向后级电路输出 。此时等效电路图如下 。
![解析带软开启功能的MOS管开关电路](http://img.gansulong.com/230624/09411462F-0.jpg)
文章插图
此时电源 +5V_IN 刚上电,使MOS管G极与S极等电势,即Vgs = 0,令Q1关闭 。
3、电源 +5V_IN 上电完成后,MOS管G极与S极两端均为5V,仍然Vgs = 0 。
4、此时将设为高电平(假设高电平为3.3V),则:
①三极管Q2的基极为0.7V,可算出基极电流Ibe为:
(3.3V - 0.7V) / 基极电阻R3 = 0.26mA
②三级管Q2饱和导通,Vce ≈ 0 。电容C1通过电阻R2充电,即C1与G极相连端的电压由5V缓慢下降到0V,导致Vgs电压逐渐增大 。
③MOS管Q1的Vgs缓慢增大,令其缓慢打开直至完全打开 。最终Vgs = -5V 。
④利用电容C1的充电时间实现了MOS管Q1的缓慢打开(导通),实现了软开启的功能 。
MOS管打开时的电流流向如下图所示:
5、电源打开后,+ 输出为5V电压 。此时将设为低电平,三极管Q2关闭,电容C1与G极相连端通过电阻R2放电,电压逐渐上升到5V,起到软关闭的效果 。软关闭一般不是我们想要的,过慢地关闭电源,可能出现系统不稳定等异常 。过程如下图:
一般情况下还是放心使用软启动功能,伴随而来的软关闭效果一般没什么影响 。
电路参数设定说明
【解析带软开启功能的MOS管开关电路】调整C1、R2的值,可以修改软启动的时间 。值增大,则时间变长 。反之亦然 。
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