台积电今年还推出7nm+工艺，作为其首个使用EUV光刻技术的节点，逻辑密度是前一代工艺的1.2倍，良率表现和7nm相比也不分伯仲 。
随后，台积电将推出了6nm工艺，按照台积电的说法，这个工艺将会在未来相当长的一段时间内扮演重要的角色 。

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台积电提到了专门为移动和HPC应用优化的5nm工艺，据最新消息称台积电的5nm工艺良率已经达到了50%，比当初7nm工艺试产之前还要好，最快明年第一季度就能投入大规模量产 。
在5nm之后，台积电也规划了一个性能增强版的5nm+工艺 。据介绍，这个工艺较之5nm将有7%的速度提升，15%的功耗降低 。
再往后，台积电就要进入深水区，迎来晶体管结构大改的3nm工艺，据最新消息显示，台积电对3nm工艺的发展情况很满意 。
其也在积极进军2nm节点，目前来说还是在技术规划阶段，台积电给自己制定的目标是2nm工艺2024年量产 。
三星-良率困扰
三星在10nm、7nm及5nm进度都比台积电晚，导致其只抢到IBM、及高通部分订单 。

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根据路线图，三星工艺近期有14nm、10nm、7nm、3nm三个重要节点，其中14nm会演化出11nm，10nm会演化出8nm，7nm则会演化出6nm、5nm、4nm 。
而每种工艺往往又会根据性能、功耗的不同而分为多个版本，比如14nm分成了14LPE、14LPP、14LPC、14LPU，3nm则分成3GAE、3GAP，预计会采用全新的材料 。
在工艺进度上，三星今年4月份已经在韩国华城的S3 Line工厂生产7nm芯片，今年9月宣布完成了4nm工艺的开发 。
此外，三星在9月表示，在3nm节点，将从晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺，其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管，官方称之为3GAE工艺，预计在2020年完成3nm工艺开发 。
格芯-转战FD-SOI
格芯作为全球第二大晶圆代工厂，在2018年没能逃脱亏损命运，以致于母公司阿布扎比穆巴达拉投资基金都撑不住，在去年8月份宣布停止烧钱的7nm及以下工艺研发，和卖掉一系列晶圆厂后，转战FD-SOI，来满足高速增长的物联网市场 。

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格芯高级副总裁Lemos 表示，格芯已经拥有22 个应用平台，包括毫米波、存储和射频等 。
目前，格芯已经从 40、50 nm工艺深入到 22 nm 。在2019年，22FDX工艺已经有26个产品 tape out，其中一半的客户来自于中国市场 。
此外，在9月宣布，采用12nm 工艺，成功流片基于ARM架构的高性能3D封装芯片 。这意味着格芯亦投身于3D封装领域，将与英特尔、台积电等公司一道竞争异构计算时代的技术主动权 。
中芯国际-崛起之姿
代表大陆自主技术水平的就是中芯国际、华虹半导体的28nm工艺，而近日中芯国际对外宣称其14nm制程工艺的芯片已经正式实现量产，并将于2021年正式出货 。

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此外，中芯国际于2019年从ASML购入了一台EUV光刻机，为研发7nm工艺做准备 。虽然距离世界先进水平还有距离，但这也算是“中国芯”史上的一大突破吧 。
总结
正如业内人士称：“摩尔定律是关于人类创造力的定律，而不是物理学定律” 。我们不能否认摩尔定律带动了半导体产业的白热化，它一方面可以倒逼技术的演进，但另一方面也极致地体现了资本家早有准备的利益最大化思想，因此摩尔定律称不上是真正意义上的定律，而只是谋取利益的一种手段 。

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