什么是内存时序内存时序设置方法【详解】( 四 ) _内存

tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1;如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2 。
Refresh Period(tREF)
可选的设置：Auto，0032-4708，其步进值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期” 。它指内存模块的刷新周期。
先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒) 。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。
1552=100mhz(?.s)
2064=133mhz(?.s)
2592=166mhz(?.s)
3120=200mhz(?.s)
---------------------
3632=100mhz(?.s)
4128=133mhz(?.s)
4672=166mhz(?.s)
0064=200mhz(?.s)
---------------------
0776=100mhz(?.s)
1032=133mhz(?.s)
1296=166mhz(?.s)
1560=200mhz(?.s)
---------------------
1816=100mhz(?.s)
2064=133mhz(?.s)
2336=166mhz(?.s)
0032=200mhz(?.s)
---------------------
0388=100mhz(15.6us)
0516=133mhz(15.6us)
【什么是内存时序内存时序设置方法【详解】】0648=166mhz(15.6us)
0780=200mhz(15.6us)
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0908=100mhz(7.8us)
1032=133mhz(7.8us)
1168=166mhz(7.8us)
0016=200mhz(7.8us)
---------------------
1536=100mhz(3.9us)
2048=133mhz(3.9us)
2560=166mhz(3.9us)
3072=200mhz(3.9us)
---------------------
3684=100mhz(1.95us)
4196=133mhz(1.95us)
4708=166mhz(1.95us)
0128=200mhz(1.95us)
如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存(即单颗容量为16MB的内存)，而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存(即单颗容量为32MB的内存) 。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。
另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit 。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法(行刷新)，每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms 。
如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.s)时，会得到最佳的性能/稳定性比。
Write CAS# Latency(tWCL)
可选的设置：Auto，1-8
Write CAS Latency (tWCL)，表示“写指令到行地址控制器延时” 。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL(CAS-Latency)是相对的，tCL表示读的延迟。
DRAM Bank Interleave
可选的设置：Enable，Disable
DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交错” 。这个设置用来控制是否启用内存交错式(interleave)模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。