STM32学习笔记 | 片内FLASH读写失败问题分析( 二 ) _stm32

通过工具写数据，就是我们量产时说的下载数据，正式一点说法叫编程。
3.擦除数据

文章插图
擦除数据通常分擦除页、扇区、整块，擦除时间也因型号不同、速度不同有差异。
提示：该部分内容建议参考官方提供的Demo（标准外设库和HAL都有基本例程）
嵌入式专栏
FLASH 常见问题
STM32内部Flash主要用途是存储程序代码和数据。操作内部Flash要慎重，一旦操作不当就有可能会破坏整个程序。
问题一：编程（写数据）地址非对齐
写数据时，我们要指定写入的地址，如果写入地址为非对齐，则会出现编程对齐错误。
比如：
遵循32位（4字节）地址对齐，你的地址只能是4的倍数。正确，错误。
提示：不同型号对齐宽度可能不同，有的32位、有的128位等。
解决办法：通过“取余”判断地址。
问题二：编程地址数据未擦除
写数据之前需要擦除对应地址数据才能正常写入，否则会出现失败。
我们擦除数据通常是页，或扇区，写入某个地址数据，就可能影响其他地址的数据，如果直接覆盖就会出现问题。
解决办法：通常的做法是读出整页（或扇区）数据并缓存，再擦除整页，再写入。
问题三：擦除时读取数据
STM32内部Flash在进行写或擦除操作时，总线处于阻塞状态，此时读取Flash数据就会出现失败。【双BANK模式除外】
解决办法：通过标志判断写/擦除操作是否完成。
问题四：电压不稳定写入失败
处于外界干扰较大的环境，供电就有暂降的可能，而对STM32内部Flash进行操作时，如果低于特定电压就会出现编程失败。
操作Flash的最低电压既与工作频率有关，也与STM32型号有关（具体需要看数据手册）。
解决办法：通过完善硬件电路保证电压稳定。电源电压不够或不稳导致隐患往往不易觉察！！
复盘一下
▼FLASH 基础内容：结构、常规操作、容量、大小端格式；
▼FLASH 选项字节：通过软件编码和编程工具配置；
▼FLASH 读写擦除操作：常规程序读写操作、工具的读写操作；
▼FLASH 常见问题：编程地址非对齐、数据未擦除、擦除同时读取数据、电压不稳定写入失败。