半导体材料物理学家王占国( 二 ) _生活百科

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王占国1971-1980年，他负责设计、建成了低温电学测量和光致发光实验系统，并对GaAs和其它III-V族化合物半导体材料的电学、光学性质进行了研究。其中，体GaAs热学和强场性质的实验结果以及与林兰英先生一起提出的“GaAs质量的杂质控制观点”，对我国70年代末纯度GaAs材料研製方向的战略转移和GaAs外延材料质量在80年代初达国际先进水平贡献了力量。1980-1983年，经黄昆和林兰英两位所长推荐，他作为访问学者，赴国际着名的深能级研究中心瑞典隆德大学固体物理系，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。在国际该领域的权威H.G.Grimmeiss教授等的大力支持和合作下，做出了多项有国际影响的工作,如提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷不同能态新方法,解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论；提出了混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理新模型,解释了它们的物理实质；澄清和识别了一些长期被错误指派的GaAs中与铜等相关的发光中心等。在这期间发表的10篇论文，截止1995年5月，被引用200余次。

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王占国1984-1993年，在半导体材料生长及性质研究中,先后负责承担多项国家自然科学基金、国家重点科技攻关和国家高技术“863”研究课题。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据,为提高GaAs质量器件与电路的成品率提供了依据。与人合作，提出了直拉硅中新施主微观结构新模型,拚弃了新施主微观结构直接与氧相关的传统观点,成功地解释了现有的实验事实,预示了它的新行为；在国内率先开展了超长波长锑化物材料生长和性质研究,并首先在国内研製成功InGaAsSb,AlGaAsSb材料及红外探测器和雷射器原型器件。协助林兰英先生,开拓了我国微重力半导体材料科学研究新领域,首次在太空从熔体中生长出GaAs单晶并对其光、电性质作了系统研究,受到国内外同行的高度评价。纳米半导体技术/纳米技术套用丛书从1993开始，他工作的重点已集中在半导体低维结构和量子器件这一国际前沿研究方面，先后主持和参与负责10多个国家863、国家重点科技攻关，国家自然科学基金重大、重点和面上项目以及中科院重点、重大等研究项目。他和MBE组的同事一起，在成功地生长了国内领先、国际先进水平的电子迁移率(4.8K)高达百万的2DEG材料和高质量、器件级HEMT和P-HEMT结构材料的基础上,近年来，又发展了应变自组装In(Ga)As/GaAs，InAlAs/AlGaAs/GaAs,InAs/InAlAs/InP和InAs/InGaAs/InP等量子点、量子线和量子点（线）超晶格材料生长技术，并初步在纳米尺度上实现了对量子点（线）尺寸、形状和密度的可控生长；首次发现InP基InAs量子线空间斜对準的新现象，被国外评述文章大段引用；成功地製备了从可见光到近红外的量子点（线）材料，并研製成功室温连续工作输出光功率达4瓦(双面之和)的大功率量子点雷射器，为目前国际上报导的最好结果之一；红光量子点雷射器的研究水平也处在国际的前列；最近，他作为国家重点基础研究规划项目“信息功能材料相关基础研究”的首席科学家，又提出了柔性衬底的概念，为大失配异质结构材料体系研製开闢了一个可能的新方向。

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王占国上述研究成果曾获国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖,中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步一,二和三等奖，何梁何利科学与技术进步奖，国家重点科技攻关奖以及优秀研究生导师奖等10多项；从1983年以来，先后在国外着名学术刊物发表论文180多篇，培养博士、硕士和博士后数十名。钟情于半导体半导体的发展和套用中国科学院院士、中国科学院半导体研究所研究员、原副所长，中国电子学会半导体与集成技术分会主任，中国材料研究会副理事长，北京市人民政府专家顾问团顾问，973重大基础研究计画，信息功能材料相关基础问题项目首席科学家王占国:院士。对半导体的发展和套用作了一个介绍。

半导体材料物理学家 王占国( 二 )

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