三极管和MOS管工作状态图解+实例( 二 ) _电流

因为我们的器件不是理想的，我们在来看下面一个图。
【三极管和MOS管工作状态图解+实例】这是我们常用的一款小信号BJT，型号为的直流电压增益曲线。从图中可以看出，BJT的共射极直流电压增益hfe(也就是通常意义下的β)不仅是温度的函数，而且与集电极电流有关。在一定的集电极电流范围内，hfe基本为常数;当集电极电流大于一定值时，hfe将急剧下降。产生这一现象的机理我们在这里就不讨论了。我们在使用BJT作为开关时，大多数情况下用于驱动外部负载，如LED、继电器等，这些负载的电流一般较大，此时hFe已经下降到远小于我们计算时使用的那个值。如前面的例子，如果这个BJT为，集电极电流达到近50mA，此时的β(或hFe)已经下降到只要100左右了，计算基极电阻时使用的β也应该取100而不是200 。
而实际应用中，Ib并不是越大越好，因为Ib对外电路来说是没有实质作用的，它仅仅是维持BJT可靠导通的必要条件。Ib越大，驱动部分的损耗也就越大，从而降低了电路的效率。而且Ib越大还会影响三极管的开关速率，这个我们后面再深究。

文章插图
电子元件基础之三极管静态工作点
我们都知道，三极管的工作状态有三个，截止区，放大区，饱和区。那么三极管工作在什么工作状态是由什么决定的呢?是由基极电流(Ib)来决定的,和其他因素完全没有关系。
如果Ib=0，则三极管工作在截止区。
如果0< βIb US时导通。(简单认为)UG=US时截止。
P沟道：UG
但UG比US大(或小)多少伏时MOS管才会饱和导通呢?这要看具体的MOS管，不同的MOS管要求的压差不同。比如笔记本上用于信号切换的MOS管：N7002，，，，等。UG比US大3V---5V即可。
2、隔离作用
如果我们想实现线路上电流的单向流通，比如只让电流由A->b，阻止由b->A，请问该怎么做?
但这样的做法有一个缺点，二极管上会产生一个压降，损失一些电压信号。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在控制极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时几乎不产生压降。下面我们来看一个防电源反接电路。
这个电路当电源反接时NMOS管截止，保护了负载。电源正接时由于NMOS管导通压降比较小，几乎不损失电压，比在电源端加保险管再在负载并联一个二极管的方案好一些。