光电半导体\ x0d \ X0a1、LED(发光二极管)\x0d\x0a2、激光半导体\x0d\x0a3、光接收器件\ x0d \ x0a1光电二极管/太阳能电池\ x0d \ x0a2光电晶体管\ x0d 。X0a③CCD图像传感器(电荷耦合器件)\ \x0d\x0a④CMOS图像传感器(互补金属氧化物半导体)\x0d\x0a4、光继电器\ x0d \ X0a 2①光继电器\ x0d \ x0a5、光通信器件\ x0d \ x0a \ X0a ① CISC(复杂指令集计算机)\x0d\ (精简指令集计算机)\ x0d \ X0a3、DSP(数字信号处理器)\x0d\x0a4、aasic(专用集成电路)(现场可编程逻辑器件)\x0d\x0a5、MPR(微机外设LSI)\x0d\ X0a6、系统LSI \ x0d \ x0a \、系统、显示驱动器IC \ x0d \ x0a v . x0a 1、DRAM(动态随机存取存储器)\ x0d \ X0a2、SRAM(静态随机存取存储器)\x0d\x0a3、flash存储器\ x0d \ x0a4、mask ROM(屏蔽存储器)\x0d\ X0a5、feram(铁电随机
半导体的种类有哪些?
I. n型半导体
n型半导体又叫电子半导体,即自由电子浓度远大于空空空穴浓度的杂质半导体 。
形成原理
掺杂和缺陷会增加导带中的电子浓度 。对于锗和硅半导体材料,ⅴ族元素的掺杂可以在杂质原子取代晶格中的锗和硅原子时,提供一个除共价键配位之外的额外电子,导致导带中的电子浓度增加 。这种杂质原子称为施主 。III-V族化合物半导体的施主通常使用IV或VI元素 。有些氧化物半导体在化学比上往往表现为缺氧,而这些氧空位可以表现出施主的作用,所以这些氧化物通常表现为电子导电性,也就是N型半导体,缺氧的程度可以通过实空加热进一步加强 。
两个 。p型半导体
p型半导体一般指空/[k0/]空穴型半导体,以正电荷空空空穴导电为主 。
形式
p型半导体是通过在纯硅晶体中掺杂三价元素(如硼)来取代硅原子在晶格中的位置而形成的 。在p型半导体中,空空空穴是多载流子,自由电子是少数载流子,主要由空空穴传导 。p型半导体是电中性的,因为正电荷的数量等于负电荷的数量 。空空空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成 。
扩展数据
特点:
(1) n型半导体
n型半导体是电中性的,因为正负电荷相等 。自由电子主要由杂质原子提供,热激发形成空空空穴 。掺杂的杂质越多,许多电子(自由电子)的浓度越高,导电性越强 。
(2) p型半导体
掺杂的杂质越多,很多离子(空空空穴)的浓度越高,导电性越强 。
百度百科-n型半导体
百度百科-P半导体
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